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国家自然科学基金重大项目第三代半导体中压电-电/光耦合新效应、材料与器件研究2023年度项目年会顺利召开
发表日期: 2024-02-01 文章来源:
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  2024126日,由国家自然科学基金委员会工材学部资助、中国科学院北京纳米能源与系统研究所(以下简称纳米能源所)王中林院士担任项目首席的“第三代半导体中压电-/光耦合新效应、材料与器件研究”项目年会在怀柔召开。国家自然科学基金委员会工材学部副主任苗鸿雁、综合处处长赖一楠、无机非金属材料学科主任谭业强、北京大学校长助理王新强教授、中国科学院物理研究所研究员白雪冬、国家纳米科学中心研究员戴庆、清华大学教授张莹莹和北京师范大学教授张金星以及项目组课题负责人、研究骨干等20余人出席了会议。会议由项目负责人王中林院士和北京大学教授王新强主持。 

  王中林院士代表项目组对各位领导和专家的到来表示欢迎和感谢。工材学部副主任苗鸿雁做了重要讲话,他指出重大项目是国家科学基金成立以来的第一批项目之一,是基于四个面向、起到超前部署和引领的作用。重大项目要求项目组每年至少开一次交流会,邀请指导专家组参会,围绕项目的目标共同公关,要不断聚焦和凝练,最终取得丰硕成果。苗主任表示第三代半导体项目是无机非金属材料学科的第十个项目,在立项时经过了反复论证,是个有原始创新工作的项目。 

  项目汇报阶段由王新强教授主持。王中林院士首先汇报了项目总体情况,包括项目的研究背景、研究思路和内容、项目研究目标和考核指标、任务分解和研究进度安排、团队组成和工作基础、项目年度亮点工作等。课题一负责人、电子科技大学张岩教授汇报了压电(光)电子效应对第三代半导体在理论方面的研究进展;第二课题负责人、纳米能源所王中林院士汇报了第三代半导体在材料生长方面的精准构筑以及前瞻性“第四代半导体”概念的提出与展望;课题三负责人、纳米能源所翟俊宜研究员汇报了压电电子学效应对第三代半导体高电子迁移率晶体管在界面极化调控、中子辐照特性以及器件性能等方面的研究进展;课题四负责人、中国科学院半导体研究所魏同波研究员汇报了压电电子学效应对肖特基结电压的调制、三维结构微米线阵列LED器件生长以及柔性垂直结构传感器等方面的研究进展。 

  与会专家和领导充分肯定了项目的进展和执行情况,并就项目后续工作提出了意见和建议。王新强教授建议项目理论研究工作更紧密服务和指导项目的实验工作,期待项目研究在理论上有新突破,在应用上有新展示;白雪冬研究员认为项目应用背景强大,希望进一步深化定量分析结果,增强项目成果展示度;张莹莹教授建议要凸显项目成果的国际水平比照;张金星教授希望项目围绕国家任务,早日推动成果产业化。谭业强主任希望未来有更多代表性强、显示度高的成果,同时要加强专家指导小组的作用;赖一楠处长期望项目研究能从机制出发,在材料生长和器件构筑中更多涌现基础研究的新效应以及实验研究的新工艺、新突破;苗鸿雁副主任最后强调,项目研究要围绕主要科学问题、科学目标,做好课题之间交叉协同与融会贯通。 

  王中林院士对各位领导和专家提出的建议表示感谢,接下来会组织项目组的总结会,共同商讨项目和课题之间的融合、交叉,争取在下一次的汇报中提出普适性的规律、新的效应和工艺,引领未来学科的发展和产业的方向。 

  此次项目年会的召开,有效地梳理了项目及课题的研究内容和预期成果,加强了项目、课题研究单位之间的沟通和交流,明确了项目的研究目标和工作重点,有利于促进项目取得重大的、原创性科研成果。 

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