李丁

　　中国科学院北京纳米能源与系统研究所，副研究员

　　E-mail: liding@binn.cas.cn

　　研究领域

　　方向1：压电光电子学及其应用

　　方向2：GaN基半导体激光器

　　方向3：宽禁带半导体/半导体光电学

　　工作经历

　　2017.08 ～ 至今 中国科学院北京纳米能源与系统研究所，副研究员

　　2014.06 ～ 2017.07 德国莱布尼茨联合会费迪南德布劳恩研究所 (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-

　　Institut für H?chstfrequenztechnik (FBH), Germany)， 博士后

　　2012.06 ～ 2014.06 北京大学，物理学院，博士后

　　教育背景

　　2006.09 ～ 2012.07 北京大学，物理学院，理学博士（凝聚态物理）

　　2010.01 ～ 2010.07 美国亚利桑那州立大学，访问学者

　　2002.09 ～ 2006.07 天津大学，理学院，理学学士（应用物理学）

　　天津大学，社会科学与外国语学院，文学学士（英语）

　　研究项目

　　项目负责人：

　　中国博士后科学基金一等资助《绿光InGaN量子阱的新结构设计与实现》

　　主要研究人员：

　　德国BMBF研究项目 《Laser systems of high brilliance in the ultraviolet spectral region using a GaN-based

　　master oscillator and tapered amplifier (UVMOPA)》

　　国家“973”课题 《纳/微结构新型LED光源研究》

　　国家“863”计划课题 《氮化镓基短波长激光器创新结构和关键技术》

　　国家自然科学基金项目 《GaN基量子异质结构和发光性质》

　　北京市科技计划 《20毫瓦室温连续激射氮化镓蓝光激光器研制》

　　发表文章

[1] D Li, H Zong, W Yang, L Feng, J He, W Du, C Wang, Y Xie, Z Yang, B Shen, G Zhang, X Hu. Stimulated emission in GaN-based laser diodes far below the threshold region. OPTICS EXPRESS. 2014, 22(3): 2536. 

[2] D Li, W Yang, L F Feng, P W Roth, J He, W M Du, Z J Yang, C D Wang, G Y Zhang, X D Hu. Stimulated emission related anomalous change of electrical parameters at threshold in GaN-based laser diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2013, 102(123501). 

[3] W Yang, D Li, N Y Liu, Z Chen, L Wang, L Liu, L Li, C H Wan, W H Chen, X D Hu, W M Du. Improvement of hole injection and electron overflow by a tapered AlGaN electron blocking layer in InGaN-based blue laser diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012, 100(0311053) 

[4] L F Feng*, Y Li, D Li*, X D Hu, W Yang, C D Wang, Q Y Xing. Precise relationship between voltage and frequency at the appearance of negative capacitance in InGaN diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012, 101(233506). 

[5] L F Feng, D Li, C Y Zhu, C D Wang, H X Cong, G Y Zhang, W M Du. Deep saturation of junction voltage at large forward current of light-emitting diodes. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2007, 102(945119). 

[6] L F Feng, D Li, C Y Zhu, C D Wang, H X Cong, X S Xie, C Z Lu. Simultaneous sudden changes of electrical behavior at the threshold in laser diodes. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2007, 102(631026). 

[7] N Y Liu, D Li, L Wang, L Liu, W Yang, L Li, W Y Cao, C M Lu, C H Wan, W H Chen, X D Hu. Enhanced Hole Transport in Mg-Doped AlxGa1-xN/GaN Superlattices by Strain and Period Modulations. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2012, 51(071001). 

[8] Y Z Wang, D Li, L Li, N Y Liu, L Liu, W Y Cao, W H Chen, X D Hu. Intersubband transitions in Al0.82In0.18N/GaN single quantum well. CHINESE PHYSICS B. 2011, 20(094207). 

[9] L Li, L Liu, D Li, L Wang, C H Wan, W H Chen, Z J Yang, G Y Zhang, X D Hu, S J Huang, S Chang, J Liu, W Zhang, Y H Xie. Defect Reduction via Selective Lateral Epitaxy of GaN on an Innovative Masked Structure with Serpentine Channels. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2012, 5(109201). 

[10] L Liu, L Wang, D Li, N Y Liu, L Li, W Y Cao, W Yang, C H Wan, W H Chen, W M Du, X D Hu, Z C Feng. Influence of indium composition in the prestrained InGaN interlayer on the strain relaxation of InGaN/GaN multiple quantum wells in laser diode structures. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2011, 109(073106). 

[11] L Wang, R Li, D Li, N Y Liu, L Liu, W H Chen, C D Wang, Z J Yang, X D Hu. Strain modulation-enhanced Mg acceptor activation efficiency of Al_0.14Ga_0.86N/GaN superlattices with AlN interlayer. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2010, 96(061110). 

[12] L Wang, R Li, Z W Yang, D Li, T Yu, N Y Liu, L Liu, W H Chen, X D Hu. High spontaneous emission rate asymmetrically graded 480 nm InGaN/GaN quantum well light-emitting diodes. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2009, 95(211104). 

[13] R Li, J M Zhang, L Chen, H B Zhao, Z W Yang, T Yu, D Li, Z C Liu, W H Chen, Z J Yang, G Y Zhang, Z Z Gan, X D Hu, Q Y Wei, T Li, F A Ponce. Donor-related cathodoluminescence of p-AlGaN electron blocking layer embedded in ultraviolet laser diode structure. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2009, 94(211103). 

　　授权专利

李丁、胡晓东、张国义、章蓓、杨志坚、康香宁、李睿、陈伟华、赵璐冰，《氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法》，国家发明专利，（授权200810101681.5） 

李丁、王彦杰、胡晓东、胡成余、张国义，《一种p型氮化镓的表面处理方法》，国家发明专利，（授权 200710123092.2） 

马志芳、杨志坚、张国义、李丁、吴洁君、贾传宇、陈志忠、于彤军、康香宁、胡晓东、秦志新、龙浩，《基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法》，国家发明专利，（授权 2012102566556） 

杨志坚、方浩、陶岳彬、桑立雯、李丁、张国义，《一种单芯片白光发光二极管及其制备方法》（授权 200810103520.X） 

张国义、杨志坚、方浩、陶岳彬、桑立雯、李丁，《背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法》，国家发明专利，（授权 200810104053.2） 

张国义、杨志坚、方浩、陶岳彬、桑立雯、李丁，《通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED》，国家发明专利，（授权200810106414.7） 

张国义、杨志坚、方浩、陶岳彬、桑立雯、李丁、童玉珍，《电注入调控三基色单芯片白光发光二极管》，国家发明专利， （授权 200810111710.6） 

　　个人荣誉

　　2008年 北京奥运会/残奥会先进志愿者

　　2008年 北京大学奥运会志愿者金奖

　　2008年，2009年 北京大学“三好学生”

　　2006年 天津市“十杰百优”青年志愿者

　　2004年12月 天津大学第五届“学生科技英才”

　　2005年4月 天津大学“挑战杯”第五届学生课外学术科技作品竞赛三等奖